[实用新型]一种高强度太阳能硅片有效
申请号: | 201620789104.X | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN205985007U | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 杨松;白京生;孙志刚;姜斌 | 申请(专利权)人: | 北京诺飞新能源科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100000 北京市通州区中关村*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高强度太阳能硅片,包括硅片单元,所述硅片单元均匀排列在硅晶基板上,所述硅晶基板设置在铝合金框上,所述硅片单元上方设有耐老化薄膜,所述耐老化薄膜下方设有吸光层,所述吸光层下方设有N型硅半导体,所述N型硅半导体下方设有P型硅半导体,所述N型硅半导体和P型硅半导体之间形成了一PN结,所述N型硅半导体的左侧接通上电极,所述P型硅半导体的右侧接通下电极,所述P型硅半导体下方设有防反射层。本高强度太阳能硅片,通过在硅片单元上设置耐老化薄膜提高了硅片的使用寿命,以及吸光层和防反射层的设置提高了硅片的光电转换强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 强度 太阳能 硅片 | ||
【主权项】:
一种高强度太阳能硅片,包括硅片单元(1),所述硅片单元(1)均匀排列在硅晶基板(2)上,所述硅晶基板(2)设置在铝合金框(3)上,其特征在于:所述硅片单元(1)上方设有耐老化薄膜(19),所述耐老化薄膜(19)下方设有吸光层(12),所述吸光层(12)下方设有N型硅半导体(13),所述N型硅半导体(13)下方设有P型硅半导体(15),所述N型硅半导体(13)和P型硅半导体(15)之间形成了一PN结(14),所述N型硅半导体(13)的左侧接通上电极(11),所述P型硅半导体(15)的右侧接通下电极(16),所述P型硅半导体(15)下方设有防反射层(18)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的