[实用新型]一种高强度太阳能硅片有效

专利信息
申请号: 201620789104.X 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN205985007U 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 杨松;白京生;孙志刚;姜斌 申请(专利权)人: 北京诺飞新能源科技有限责任公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100000 北京市通州区中关村*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种高强度太阳能硅片,包括硅片单元,所述硅片单元均匀排列在硅晶基板上,所述硅晶基板设置在铝合金框上,所述硅片单元上方设有耐老化薄膜,所述耐老化薄膜下方设有吸光层,所述吸光层下方设有N型硅半导体,所述N型硅半导体下方设有P型硅半导体,所述N型硅半导体和P型硅半导体之间形成了一PN结,所述N型硅半导体的左侧接通上电极,所述P型硅半导体的右侧接通下电极,所述P型硅半导体下方设有防反射层。本高强度太阳能硅片,通过在硅片单元上设置耐老化薄膜提高了硅片的使用寿命,以及吸光层和防反射层的设置提高了硅片的光电转换强度。
搜索关键词: 一种 强度 太阳能 硅片
【主权项】:
一种高强度太阳能硅片,包括硅片单元(1),所述硅片单元(1)均匀排列在硅晶基板(2)上,所述硅晶基板(2)设置在铝合金框(3)上,其特征在于:所述硅片单元(1)上方设有耐老化薄膜(19),所述耐老化薄膜(19)下方设有吸光层(12),所述吸光层(12)下方设有N型硅半导体(13),所述N型硅半导体(13)下方设有P型硅半导体(15),所述N型硅半导体(13)和P型硅半导体(15)之间形成了一PN结(14),所述N型硅半导体(13)的左侧接通上电极(11),所述P型硅半导体(15)的右侧接通下电极(16),所述P型硅半导体(15)下方设有防反射层(18)。
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