[实用新型]一种高效吸收光线的单晶硅片有效
申请号: | 201620789152.9 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN205985017U | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 胡智信;方亮;方莹;刘吉海 | 申请(专利权)人: | 北京诺飞新能源科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 101102 北京市通州区中关村*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高效吸收光线的单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体上设有主栅线,所述硅片本体上均匀排布有副栅线,所述硅片本体上表面的吸光面上设有二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜上均匀设有凹形线槽绒面,所述硅片本体底部位置所在的背光面上覆盖有防腐蚀结构层,所述凹形线槽绒面分为顶凹槽、左凹槽和右凹槽。本实用新型一种高效吸收光线的单晶硅片,结构简单,通过利用光线折射原理,在制绒表面形成凹形线槽绒面,减少光的反射作用来实现高效吸收光线的效果,从而提高转换效率。通过二氧化硅薄膜和防腐蚀结构层来提高硅片的使用寿命,增强硅片抗温能力,减少成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 吸收 光线 单晶硅 | ||
【主权项】:
一种高效吸收光线的单晶硅片,包括硅片本体(1),其特征在于:所述硅片本体(1)上设有主栅线(2),所述硅片本体(1)上均匀排布有副栅线(3),所述硅片本体(1)上表面的吸光面(5)上设有二氧化硅薄膜(9),所述二氧化硅薄膜(9)上均匀设有凹形线槽绒面(7),所述硅片本体(1)底部位置所在的背光面(8)上覆盖有防腐蚀结构层(6),所述凹形线槽绒面(7)分为顶凹槽(71)、左凹槽(72)和右凹槽(73)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的