[实用新型]使用薄半导体晶片的太阳能电池有效
申请号: | 201620790450.X | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN206471339U | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 伊曼纽尔·M·萨克斯;拉尔夫·约恩奇克;亚当·洛伦兹;理查德·L·华莱士;乔治·D·斯蒂芬·赫德尔森 | 申请(专利权)人: | 1366科技公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 杨生平,刘晓玲 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在控制位置具有薄区域与较厚区域的一种使用薄半导体晶片的太阳能电池。内部可以小于180微米或者更薄到50微米,具有180‑250微米的较厚部分。薄晶片具有较高的效率。较厚周边提供了操作强度。较厚的条状部、平台与岛状部用于喷镀联接。晶片可以由熔化物直接制成,在型板上具有不同热量提取倾向的区域,其布置为与相对厚度的位置相应。间隙氧小于6x1017原子/cc,优选地小于2x1017,全氧小于8.75x1017原子/cc,优选地小于5.25x1017。较厚区域形成具有相对较高热量提取倾向的邻近型板区域;较薄区域邻近具有较小提取倾向的区域。较厚的型板区域具有较高的提取倾向。在型板上的功能性材料还也具有不同的提取倾向。 | ||
搜索关键词: | 使用 半导体 晶片 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:(i)半导体晶片,其包括:a.第一表面;以及b.第二表面;c.第一区域,其在与所述第一表面正交的方向上具有第一平均厚度;d.第二区域,其处于控制位置处,具有第二平均厚度,所述第二平均厚度与所述第一平均厚度的比率在1.28比1与5比1之间,其中,所述第二区域包括条状部、岛状部或者平台中的至少一个;(ii)在所述第二区域的至少一部分上的喷镀;以及(iii)与所述喷镀接触的母线。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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