[实用新型]使用薄半导体晶片的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201620790450.X 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN206471339U 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 伊曼纽尔·M·萨克斯;拉尔夫·约恩奇克;亚当·洛伦兹;理查德·L·华莱士;乔治·D·斯蒂芬·赫德尔森 申请(专利权)人: 1366科技公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 杨生平,刘晓玲
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在控制位置具有薄区域与较厚区域的一种使用薄半导体晶片的太阳能电池。内部可以小于180微米或者更薄到50微米,具有180‑250微米的较厚部分。薄晶片具有较高的效率。较厚周边提供了操作强度。较厚的条状部、平台与岛状部用于喷镀联接。晶片可以由熔化物直接制成,在型板上具有不同热量提取倾向的区域,其布置为与相对厚度的位置相应。间隙氧小于6x1017原子/cc,优选地小于2x1017,全氧小于8.75x1017原子/cc,优选地小于5.25x1017。较厚区域形成具有相对较高热量提取倾向的邻近型板区域;较薄区域邻近具有较小提取倾向的区域。较厚的型板区域具有较高的提取倾向。在型板上的功能性材料还也具有不同的提取倾向。
搜索关键词: 使用 半导体 晶片 太阳能电池
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:(i)半导体晶片,其包括:a.第一表面;以及b.第二表面;c.第一区域,其在与所述第一表面正交的方向上具有第一平均厚度;d.第二区域,其处于控制位置处,具有第二平均厚度,所述第二平均厚度与所述第一平均厚度的比率在1.28比1与5比1之间,其中,所述第二区域包括条状部、岛状部或者平台中的至少一个;(ii)在所述第二区域的至少一部分上的喷镀;以及(iii)与所述喷镀接触的母线。
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