[实用新型]校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片有效
| 申请号： | 201620790976.8 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN205825904U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李锁印 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01N21/21;G01N21/41 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片，涉及椭偏仪校准技术领域，包含多组附着二氧化硅或氮化硅的硅片，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，覆盖了现在半导体工艺二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的应用范围，硅片上还设有定标图形，定标图形围绕的区域为定标区域，即校准椭偏仪时测量的区域，定标区域位于硅片的中心区域，每次校准椭偏仪的区域一致，厚度一致，保证校准的准确性，还公开了校准椭偏仪的膜厚样片的检验样片，可以对校准椭偏仪的膜厚样片进行检验，检验膜厚样片是否能够校准椭偏仪。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 椭偏仪 样片 及其 检验 | ||
【主权项】：
校准椭偏仪的膜厚样片，其特征在于：包括若干个硅片（1），所述硅片（1）上表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，硅片（1）上还设有定标图形（3），定标图形（3）环绕区域为定标区域（2），定标区域（2）为二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，所述若干个硅片（1）表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜膜厚不同，相互构成一个膜厚不同的膜厚样片系列。
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