[实用新型]一种红黄光发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620792824.1 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN205900580U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高百卉;林晓文;高本良;常远 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种红黄光发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。本实用新型通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度，避免碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红黄光 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO2层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。
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