[实用新型]具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201620793055.7 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN205960003U | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 曾清华;宋广华;王树林 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池，包括，N型硅片，所述N型硅片的上表面具有一致绒面的陷光结构，下表面为抛光面；所述N型硅片的上表面设有本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有P型非晶硅层；所述P型非晶硅层表面设有ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上设有金属栅线电极；所述N型硅片的下表面为本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有N型非晶硅层；所述N型非晶硅层表面为ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上设有金属栅线电极。本实用新型在电池片表面利用了具有一致绒面的陷光结构，这种表面陷光结构的独立单元的一致性极大地提高了后续在表面上成膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一致 单晶异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】：
具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池，其特征在于：包括，N型硅片，所述N型硅片的上表面具有一致绒面的陷光结构，下表面为抛光面；所述N型硅片的上表面设有本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有P型非晶硅层；所述P型非晶硅层表面设有ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上设有金属栅线电极；所述N型硅片的下表面为本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有N型非晶硅层；所述N型非晶硅层表面为ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上设有金属栅线电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
