[实用新型]能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构有效
| 申请号： | 201620793262.2 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN205900553U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;张艳旺;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提出的能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构，N型外延层位于N型重掺杂衬底上且邻接，N型外延层内设有沟槽，N型源极区和P型体区位于沟槽两侧且邻接，且N型源极区设于P型体区内，沟槽分为上下两部分，下部分沟槽内置有厚氧化层槽，厚氧化层槽内设置有源极导电多晶硅，上部分沟槽内设有栅极导电多晶硅和栅氧化层，栅氧化层位于栅极导电多晶硅两侧且邻接，栅极导电多晶硅和源极导电多晶硅之间设有厚氧化层；本实用新型提出的分离栅MOSFET器件结构，通过增加源极导电多晶硅和栅极导电多晶硅之间氧化层厚度，能降低器件的栅极电容Ciss和栅源IGSS漏电，同时该器件结构应用更可靠，开关速度更快。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 栅极 电容 分离 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
能降低栅极电容的分离栅MOSFET器件结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，其特征在于：所述MOSFET器件单元体包括N型重掺杂衬底（1）、N型外延层（2）、厚氧化层槽（3）、沟槽（4）、源极导电多晶硅（5）、厚氧化层（6）、栅极导电多晶硅（7）、栅氧化层（8）、P型体区（9）、N型源极区（10）、绝缘介质层（11）和源极金属（12），所述N型重掺杂衬底（1）位于器件单元体底部，所述N型外延层（2）位于N型重掺杂衬底（1）上且邻接，所述P型体区（9）有两个，且均设于N型外延层（2）内，所述沟槽（4）设于N型外延层（2）内且与两个P型体区（9）左右邻接，两个P型体区（9）内设有N型源极区（10），所述N型源极区（10）位于沟槽（4）左右两边且邻接，在沟槽（4）和部分N型源极区（10）上方设有绝缘介质层（11），在P型体区（9）和部分N型源极区（10）上方设有源极接触孔，所述源极接触孔内填充有源极金属（12）；所述沟槽（4）分为上下两部分，下部分沟槽（4）内置有厚氧化层槽（3），所述厚氧化层槽（3）内设置有源极导电多晶硅（5），上部分沟槽（4）内设有栅极导电多晶硅（7）和栅氧化层（8），所述栅氧化层（8）位于栅极导电多晶硅（7）两侧且邻接，所述栅极导电多晶硅（7）和源极导电多晶硅（5）之间设有厚氧化层（6）。
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