[实用新型]一种高效异质结太阳能电池有效
申请号: | 201620793405.X | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN205960004U | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 尤宇文;宋广华;罗骞;黄辉明 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池,包括n型硅衬底,依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层,依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层,所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层,所述导电层上设有保护层,所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层,所述保护层为透明导电氧化物层或银层。本实用新型背光面薄膜叠层结构,有效提高电池背光面电极收集传递电流的能力,提升电池转换效率,降低背光面电极的低温银浆耗用量,降低生产成本,所述保护层可以防止氧化。并且可以抵抗碱的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高效异质结太阳能电池,其特征在于:包括n型硅衬底,依次沉积在n型硅衬底受光面的第一沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层和第一透明导电氧化物层,依次沉积在n型硅衬底背光面的第二沉积本征非晶硅层、p型非晶硅层和第二透明导电氧化物层,所述n型硅衬底背光面的第二透明导电氧化物层上设有导电层,所述导电层上设有保护层,所述第二透明导电氧化物层、导电层、保护层叠合形成背光面薄膜叠层,所述保护层为透明导电氧化物层或银层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建金石能源有限公司,未经福建金石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620793405.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池
- 下一篇:一种异质结太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的