[实用新型]一种监测通孔偏移的测试结构有效

专利信息
申请号: 201620794529.X 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN205845946U 公开(公告)日: 2016-12-28
发明(设计)人: 王志娟;宋永梁;杨莉娟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 100176 北京市大兴区大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种监测通孔偏移的测试结构,包括第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构。所述第一测试结构包括上下两层金属层和第一通孔;所述第二测试结构包括上下两层金属层和第二通孔;所述第三测试结构包括上下两层金属层和第三通孔;所述第二通孔和第一通孔在X方向上面对面设置、在Y方向上交错设置;所述第一通孔和第三通孔在X方向上交错设置。本实用新型通过给第一测试结构、第二测试结构以及第三测试结构施加电压,可以监测X方向和/或Y方向的通孔偏移、面对面通孔之间的偏移以及通孔刻蚀工艺的监测,提高了监测的敏感性。当所述第二、三测试结构电连至同一焊垫时,可以减少焊垫的数量,提高焊垫的利用率。
搜索关键词: 一种 监测 偏移 测试 结构
【主权项】:
一种监测通孔偏移的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构;所述第一测试结构包括上下两层金属层和设置于所述两层金属层之间的第一通孔;所述第二测试结构包括上下两层金属层和设置于所述两层金属层之间的第二通孔;所述第三测试结构包括上下两层金属层和设置于所述两层金属层之间的第三通孔;所述第二通孔和其中一部分第一通孔在X方向上面对面设置、和另一部分第一通孔在Y方向上交错设置;所述第一通孔和第三通孔在X方向上交错设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620794529.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top