[实用新型]一种微晶格失配量子阱太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种微晶格失配量子阱太阳能电池，以p型Ge为衬底，自衬底上表面起由下而上依次层叠排列着In0.5Ga0.5P成核层、In0.01Ga0.99As缓冲层、分布式布拉格反射镜、第一隧道结、InxGa1‑xP渐变缓冲层、InyGa1‑yAs中电池、第二隧道结、InzGa1‑zP顶电池、InyGa1‑yAs欧姆接触层、正面电极、减反射膜；在p型Ge衬底下表面制备有背面电极。本实用新型可以有效消除微晶格失配产生的位错等缺陷，并采用分布式布拉格反射镜增强InyGa1‑yAs中电池对太阳光子的利用率，最终可以提高中电池和顶电池的电流密度，提升电池的光电转换效率，并且此电池结构不会引发制造工艺的复杂化问题，是非常有前景的一项高效太阳能电池技术。

主权项

一种微晶格失配量子阱太阳能电池，其特征在于：以p型Ge为衬底，自衬底上表面起由下而上依次层叠排列着In0.5Ga0.5P成核层、In0.01Ga0.99As缓冲层、分布式布拉格反射镜、第一隧道结、InxGa1‑xP渐变缓冲层、InyGa1‑yAs中电池、第二隧道结、InzGa1‑zP顶电池、InyGa1‑yAs欧姆接触层、正面电极、减反射膜，在p型Ge衬底的下表面制备有背面电极。