[实用新型]一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件

摘要

本专利公开了提供了一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，包括第一进气口、第二进气口第三进气口；第一腔室、第二腔室以及与第三腔室；第一种气体喷头区域、第二种气体喷头区域、第三种气体喷头区域；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与第二腔室连通；所述第三种气体喷头区域与第三腔室连通；所述第一种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面靠外的部分，所述第二种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面居中的部分，所述第三气体喷头区域设置在所述第一种气体喷头区域和第二种气体喷头区域之间。通过采用上述技术方案，合理利用了所述上下盘组件底部的空间，减小预反应，避免了在MOCVD托盘上出现不均匀生长的情况。

主权项

一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，用于MOCVD设备，包括：进气口，所述进气口包括第一进气口与第一气源连通、第二进气口与第二气源连通，第三进气口与第三气源连通；其特征在于，所述上下盘组件还包括腔室，所述腔室形成于上下盘组件内部，包括与第一进气口连通的第一腔室、与第二进气口连通的第二腔室以及与第三进气口连通的第三腔室；所述第一腔室、第二腔室和第三腔室相互之间不连通；喷头，所述喷头设置在所述上下盘组件的外表面上，包括设置在第一种气体喷头区域的第一气体喷头，设置在第二种气体喷头区域的第二种气体喷头，设置在第三种气体喷头区域的第三种气体喷头；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与第二腔室连通；所述第三种气体喷头区域与第三腔室连通；所述第一种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面靠外的部分，所述第二种气体喷头区域设置在上下盘组件外表面居中的部分，所述第三气体喷头区域设置在所述第一种气体喷头区域和第二种气体喷头区域之间，将所述第一种气体喷头区域和第二气体种喷头区域完全隔离。