[实用新型]一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201620796882.1 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN205911314U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;王前进;刘应开;王益;蔡武德;杨志坤 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所53110 | 代理人： | 叶健 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管，包括栅电极、氮氧化铪绝缘层、并五苯沟道层、源电极和漏电极，所述栅电极上设置有氮氧化铪绝缘层，氮氧化铪绝缘层上设置有并五苯沟道层，并五苯沟道层上设置有源电极和漏电极。本实用新型器件尺寸小、全室温制备、器件功耗低、亚阈值电压摆幅小和开关电流比大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 绝缘 室温 制备 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管，其特征在于，包括栅电极（1）、氮氧化铪绝缘层（2）、并五苯沟道层（3）、源电极（4）和漏电极（5），所述栅电极（1）上设置有氮氧化铪绝缘层（2），氮氧化铪绝缘层（2）上设置有并五苯沟道层（3），并五苯沟道层（3）上设置有源电极（4）和漏电极（5）。
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