[实用新型]一种二极管芯片凸点电极整形中间结构有效
| 申请号： | 201620797085.5 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN205828396U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种二极管芯片凸点电极整形中间结构，包括硅基层，所述硅基层上部是二氧化硅层，二氧化硅层上部是采用CVD工艺形成的第一氮化硅保护膜层，所述二氧化硅层和第一氮化硅保护膜层环绕着通过电镀形成的凸点电极，所述凸点电极的形状为梯形台状，且与硅基层连接，所述凸点电极上部为将采用机械加工打磨掉的覆盖有所述第一氮化硅保护膜层的尖峰、毛刺层，所述硅基层下部为采用CVD工艺形成的第二氮化硅保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 电极 整形 中间 结构 | ||
【主权项】：
一种二极管芯片凸点电极整形中间结构，包括硅基层，所述硅基层上部是二氧化硅层，二氧化硅层上部是采用CVD工艺形成的第一氮化硅保护膜层，所述二氧化硅层和第一氮化硅保护膜层环绕着通过电镀形成的凸点电极，所述凸点电极的形状为梯形台状，且与硅基层连接，所述凸点电极上部设有机械打磨的尖峰\毛刺层，所述尖峰\毛刺层上覆盖有第一氮化硅保护膜层，所述硅基层下部为采用CVD工艺形成的第二氮化硅保护膜。
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