[实用新型]基于P型硅衬底的双面太阳能电池有效
申请号: | 201620797950.6 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN206059413U | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 吕欣;马少华;王彬;孟庆平;崇锋;侯少攀;陈文浩 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,黄进 |
地址: | 810007 青海省西*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其中,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层和多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层和多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极。本实用新型的太阳能电池中采用P型硅片作为双面太阳能电池的衬底材料,具有明显的成本优势,同时,结合激光无损掺杂技术,使其制备方法更为简化,易于实现,有利于大规模的产业化应用。 | ||
搜索关键词: | 基于 衬底 双面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其特征在于,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层,在所述N+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层,在所述P+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述多个正面电极一一对应地位于所述多个N++重掺杂区的上方,所述正面电极穿透所述第一减反钝化膜电性连接于所述N++重掺杂区;所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极,所述多个背面电极一一对应地位于所述多个P++重掺杂区的上方,所述背面电极穿透所述第二减反钝化膜电性连接于所述P++重掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的