[实用新型]基于P型硅衬底的双面太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201620797950.6 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN206059413U 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 吕欣;马少华;王彬;孟庆平;崇锋;侯少攀;陈文浩 申请(专利权)人: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,黄进
地址: 810007 青海省西*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 实用新型公开了一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其中,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层和多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层和多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极。本实用新型的太阳能电池中采用P型硅片作为双面太阳能电池的衬底材料,具有明显的成本优势,同时,结合激光无损掺杂技术,使其制备方法更为简化,易于实现,有利于大规模的产业化应用。
搜索关键词: 基于 衬底 双面 太阳能电池
【主权项】:
一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其特征在于,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层,在所述N+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层,在所述P+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述多个正面电极一一对应地位于所述多个N++重掺杂区的上方,所述正面电极穿透所述第一减反钝化膜电性连接于所述N++重掺杂区;所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极,所述多个背面电极一一对应地位于所述多个P++重掺杂区的上方,所述背面电极穿透所述第二减反钝化膜电性连接于所述P++重掺杂区。
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