[实用新型]一种静电保护电路、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201620799147.6 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN205810810U | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;龙春平;李盼 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型的实施例提供一种静电保护电路、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,能够实现对产品中功能导线进行有效的静电释放,又不影响其正常功能的实现。静电保护电路包括:第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管、导线和静电防护线;所述第一晶体管的栅极和源极连接所述导线,所述第二晶体管的栅极和源极连接所述静电防护线;所述第三晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极;所述第三晶体管的源极连接所述导线,所述第三晶体管的漏极连接所述静电防护线。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 保护 电路 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种静电保护电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管、导线和静电防护线;所述第一晶体管的栅极和源极连接所述导线,所述第二晶体管的栅极和源极连接所述静电防护线;所述第三晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极;所述第三晶体管的源极连接至所述导线,所述第三晶体管的漏极连接所述静电防护线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620799147.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED灯的封装结构
- 下一篇:一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的