[实用新型]一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构有效
| 申请号： | 201620799720.3 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN205864237U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311228 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。与现有技术相比，本实用新型的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 拓扑 igbt 米勒 效应 驱动 结构 | ||
【主权项】：
一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，其特征在于，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2、电容C1、电容C2，所述电阻RON1连接在IGBT1的门极，所述IGBT1的门极与发射极之间连接有电容C1，所述电阻RON1与IGBT1的门极连接，所述IGBT2的门极与发射极之间连接有电容C2，所述电阻RON2与IGBT2的门极连接，所述IGBT1的发射极连接IGBT2的集电极，所述IGBT2的发射极接地。
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