[实用新型]一种适用于超高电压1600Vdc输入的串联式交错双管反激电路有效

专利信息
申请号: 201620801193.5 申请日: 2016-07-28
公开(公告)号: CN206004530U 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 罗能辉 申请(专利权)人: 深圳市圣羽翔科技有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种适用于超高电压1600Vdc输入的串联式交错双管反激电路,所述场效应管TR10的1端分别串联单片机IC1的11脚和负载R297,所述场效应管TR10的3端连接控制变压器T4‑C的一端,所述三极管TR8的3端串联负载R9后与负载R42和负载R45的公共端连接,所述场效应管TR2的2端连接场效应管TR4的3端,所述副边绕组T2‑A的另一端串联电流互感器CS1,所述电流互感器CS1的另一端连接二极管D4的正极,所述副边绕组T2‑A与副边绕组T2‑B互感,所述副边绕组T2‑B的一端串联二极管D5和电容C8后与副边绕组T2‑B的另一端连接构成回路。输入电压高,效率高,比传统双管反激效率提升20个百分点,将全面提升光伏转效能,将节约巨大能源。
搜索关键词: 一种 适用于 超高 电压 1600 vdc 输入 串联式 交错 双管 电路
【主权项】:
一种适用于超高电压1600Vdc输入的串联式交错双管反激电路,包括单片机IC1和三极管TR8,其特征在于:所述单片机IC1的1脚串联电容C20、负载R23和电容C11与单片机IC1的5脚连接,所述单片机IC1的6脚串联R15后连接负载R23和电容C11的公共端,所述单片机IC1的7脚串联R100后连接电容C11和单片机IC1的5脚的公共端,所述单片机IC1的8脚串联电容C10后连接负载R23和电容C11的公共端,所述单片机IC1的9脚连接C20和单片机IC1的1脚的公共端,所述单片机IC1的2脚串联三极管和电容C64构成回路,所述三极管和单片机IC1的2脚的公共端连接负载R16和电容C13,所述单片机IC1的10脚分别串联负载R24、负载R29和电容C25,所述R29的输出端连接通道选择开关CS,所述单片机IC1的12脚分别串联电容C12和电容C16,所述电容C12与电容C16并联,所述单片机IC1的13脚串联电容C12和电容C16的公共端,所述单片机IC1的15脚串联电容C12和电容C16的公共端,所述电容C12与电容C16并联后连接供电电压VCC,所述单片机IC1的11脚串联双向稳压管ZD07,所述双向稳压管ZD07的一端连接供电电压VCC,所述双向稳压管ZD07的另一端连接场效应管TR10的2端,所述场效应管TR10的1端分别串联单片机IC1的11脚和负载R297,所述场效应管TR10的3端连接控制变压器T4‑C的一端,所述控制变压器T4‑C的另一端与负载R297连接,所述控制变压器T4‑C与副边绕组T4‑A和副边绕组T4‑B互感,所述副边绕组T4‑A的一端串联二极管D12、负载R42和负载R45后连接副边绕组T4‑A的另一端,所述三极管TR8的2端与副边绕组T4‑A的另一端和负载R45的公共端连接,所述三极管TR8的1端串联负载R7后与副边绕组T4‑A的一端和二极管D12的公共端连接,所述三极管TR8的3端串联负载R9后与负载R42和负载R45的公共端连接,所述负载R42和负载R45的公共端连接场效应管TR2的1端,所述场效应管TR2的3端分别 串联副边绕组T4‑A和副边绕组T2‑A的一端,所述场效应管TR2的2端连接场效应管TR4的3端,所述副边绕组T2‑A的另一端串联电流互感器CS1,所述电流互感器CS1的另一端连接二极管D4的正极,所述副边绕组T2‑A与副边绕组T2‑B互感,所述副边绕组T2‑B的一端串联二极管D5和电容C8后与副边绕组T2‑B的另一端连接构成回路。
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