[实用新型]一种基于CPCI6U总线的大容量NANDFLASH存储板有效

专利信息
申请号: 201620806599.2 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN206039488U 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 肖红;何凤义;董铭钦;任道勇 申请(专利权)人: 四川赛狄信息技术有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种基于CPCI 6U总线的大容量NAND FLASH存储板,包括电源管理模块、NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA1、FPGA2;电源管理模块用于向NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA1、FPGA2提供工作电压;每个NAND FLASH存储阵列包括多个NAND FLASH芯片;FPGA1分别与NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA2通信,用于控制NAND FLASH存储阵列;DSP还与PHY通信,PHY还与RJ45通信,DSP通过FPGA1实现对NAND FLASH存储阵列缓存、转发以及存取管理;FPGA2还与SRIO以及两路光纤接口通信,FPGA2用于对SRIO数据的中转和管理。本实用新型采用并行NAND FLASH存储阵列拓展了存储容量,通过带高带接口的FPGA提升其存储速度,可实现存储大容量数据的目的,且其存储速度很快。
搜索关键词: 一种 基于 cpci6u 总线 容量 nandflash 存储
【主权项】:
一种基于CPCI 6U总线的大容量NAND FLASH 存储板,其特征在于:包括电源管理模块、多组NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA1、FPGA2;所述电源管理模块用于向NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA1、FPGA2提供工作电压;每个所述NAND FLASH存储阵列包括多个NAND FLASH芯片;所述FPGA1分别与NAND FLASH存储阵列、DSP、FPGA2通信,用于控制NAND FLASH存储阵列;所述DSP还与PHY通信,所述PHY还与RJ45通信,所述DSP通过FPGA1实现对NAND FLASH存储阵列缓存、转发以及存取管理;所述FPGA2还与SRIO以及两路光纤接口通信,所述FPGA2用于对SRIO数据的中转和管理。
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