[实用新型]图像传感器像素阵列、图像传感器和成像器件有效
| 申请号： | 201620806708.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN205984987U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | R·马杜罗维;W·G·加泽莱 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了图像传感器像素阵列、图像传感器和成像器件。一种图像传感器像素阵列包括形成于半导体衬底中的第一光敏元件和第二光敏元件；形成于所述第一光敏元件和所述第二光敏元件之间的深隔离区；以及形成于所述第一光敏元件、所述第二光敏元件和所述深隔离区下方的反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 阵列 成像 器件 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素阵列，其特征在于包括：形成于半导体衬底中的第一光敏元件和第二光敏元件；形成于所述第一光敏元件和所述第二光敏元件之间的深隔离区；以及形成于所述第一光敏元件、所述第二光敏元件和所述深隔离区下方的反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
