[实用新型]耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路有效
| 申请号： | 201620809383.1 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN205883165U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H03B19/14 | 分类号： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽内，输入过渡微带线位于所述石英基板上，所述过渡微带线的一端依次经第一传输微带线、低通滤波器、射频匹配微带线、第二传输微带线与输出过渡微带线连接，四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管的阳极与射频匹配微带线连接，每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线连接。所述电路结构简单，由于肖特基二极管数目的增多，可承受更大的输入功率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 赫兹 倍频 平衡 电路 | ||
【主权项】：
一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，其特征在于：包括射频输入波导（101）、石英基板（102）和射频输出波导（103），所述石英基板（102）的一端位于所述射频输入波导（101）的波导槽内，所述石英基板（102）的另一端位于所述射频输出波导（103）的波导槽内，输入过渡微带线（104）位于所述石英基板（102）上，所述过渡微带线（104）的一端依次经第一传输微带线（105）、低通滤波器（106）、射频匹配微带线（107）、第二传输微带线（108）与输出过渡微带线（109）连接，四个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）的阳极与射频匹配微带线（107）连接，每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）位于最外侧的阴极与一个接地端石英带线（111）连接，其中每个多管结GaAs太赫兹倍频二极管（110）包括四个串联连接的肖特基二极管。
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