[实用新型]交错像元非制冷红外焦平面阵列读出电路有效
| 申请号： | 201620813170.6 | 申请日： | 2016-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN205940775U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵照 | 申请（专利权）人： | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及读出集成电路领域，具体涉及一种交错像元非制冷红外焦平面阵列读出电路，包括传感器阵列及行选开关单元，其包括在二维平面上重复错位排列且在每一列内采用首尾相连结构的传感器电阻；用于对输出信号采样和保持的传感器偏置及信号积分放大电路，其包括传感器偏置电压，采样电容，积分器以及2个共源共栅饱和管；以及由若干输出buffer组成的多级输出buffer单元，用于将每列采样电容上的电压逐列通过多级输出buffer单元输出到IO上；通过本实用新型的读出电路，结合像元的错位排列，成像质量有了很大提高，且在芯片die面积保持不变的同时，减小了噪声，降低了功耗，使得传感器的均匀性和良品率有了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 像元非 制冷 红外 平面 阵列 读出 电路 | ||
【主权项】：
交错像元非制冷红外焦平面阵列读出电路，其特征在于：包括传感器阵列及行选开关单元，所述传感器阵列及行选开关单元包括传感器电阻，所述传感器电阻在二维平面上重复错位排列，且在每一列内采用首尾相连结构；传感器偏置及信号积分放大电路，所述传感器偏置及信号积分放大电路包括传感器偏置电压，采样电容，积分器以及2个共源共栅饱和管，所述传感器偏置及信号积分放大电路用于对输出信号的采样和保持；以及由若干输出buffer组成的多级输出buffer单元，用于将每列采样电容上的电压逐列通过多级输出buffer单元输出到IO上。
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