[实用新型]一种发光二极管的外延片有效
| 申请号： | 201620819625.5 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN205911324U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 代露;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，通过将成核层设计为多层掺杂浓度逐层递增的N型AlxGa1‑xN层，高温缓冲层设计为掺杂浓度在成核层和N型层之间，有利于底层电流扩展，降低芯片正向电压，从而降低芯片的能耗。而且AlxGa1‑xN层可以有效缓解GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配，加上高温缓冲层的掺杂浓度在成核层和N型层之间，进一步提高成核层、高温缓冲层、N型层之间的晶格匹配度，改善外延片的翘曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，所述成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，其中，0≤X≤1，各层所述N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，多层所述N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐层递增，所述高温缓冲层的掺杂浓度大于或等于掺杂浓度最高的所述N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度，且所述高温缓冲层的掺杂浓度小于或等于所述N型层的掺杂浓度。
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