[实用新型]一种TFT基板有效
申请号: | 201620823923.1 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN205828364U | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 黄茜;于春琦;李林;谭晓彬;胡家坚;丁文涛 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种TFT基板。该TFT基板包括多个像素单元,每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层,数据线与栅电极、栅线设在同一层,通过绝缘介质层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的第一连接线连接数据线和源电极。该TFT基板的制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻,简化TFT制备工艺,降低生产成本提高生产效率,工艺步骤越少,产品的良品率越高,品质越容易控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 基板 | ||
【主权项】:
一种TFT基板,包括多个像素单元,其特征在于,每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层,其中:所述栅金属层包括栅电极、横向的栅线和竖向的数据线,所述栅电极和栅线连接,所述数据线和栅电极、栅线断开;所述栅绝缘层位于所述栅电极和栅线上,用于将栅线/栅电极与源电极/漏电极绝缘;所述半导体层位于所述栅电极的栅绝缘层上,其上形成有半导体沟道;所述源/漏金属层包括源电极和漏电极,分别位于所述半导体层的半导体沟道两侧上方;所述绝缘介质层用于将半导体层、栅电极与像素电极层绝缘,其数据线处设有第一过孔、源电极处设有第二过孔、漏电极处设有第三过孔;所述像素电极层包括像素电极和第一连接线、第二连接线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造