[实用新型]一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置有效
申请号: | 201620824316.7 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN205845914U | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 王连彬 | 申请(专利权)人: | 广州市晶泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所44229 | 代理人: | 陈雅平 |
地址: | 511450 广东省广州市大*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置,包括装置底座,所述装置底座上部一侧设置有浸泡箱和清洗箱,所述浸泡箱和所述清洗箱通过连接板连接,所述浸泡箱和所述清洗箱均通过立柱与装置顶架连接,所述装置顶架上滑动设置有滑块,所述滑块上设置有多级油缸,所述多级油缸与托架连接,所述装置顶架上还设置有枪头座,所述枪头座上设置有一组清洗枪,所述装置顶架一端与设置在所述装置底座上的扩散炉连接,所述扩散炉设置有炉口。该提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置能起到比以往使用化学试剂清洗来去除有害杂质更好的效果,更能获得需要的大功率晶闸管关断时间或恢复电荷的数值,能有效延长大功率晶闸管的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 大功率 晶闸管 寿命 二次 吸收 装置 | ||
【主权项】:
一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置,包括装置底座(1),其特征在于:所述装置底座(1)上部一侧设置有浸泡箱(2)和清洗箱(3),所述浸泡箱(2)和所述清洗箱(3)通过连接板(4)连接,所述浸泡箱(2)和所述清洗箱(3)均通过立柱(5)与装置顶架(6)连接,所述装置顶架(6)上滑动设置有滑块(7),所述滑块(7)上设置有多级油缸(8),所述多级油缸(8)与托架(9)连接,所述装置顶架(6)上还设置有枪头座(10),所述枪头座(10)上设置有一组清洗枪(11),所述装置顶架(6)一侧还设置有夹手座(12)和一组蛇形管(13),所述蛇形管(13)端部设置有夹手(14),所述装置顶架(6)一端与设置在所述装置底座(1)上的扩散炉(15)连接,所述扩散炉(15)设置有炉口(16),所述炉口(16)配备有推拉架(17)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造