[实用新型]一种具有发射区短路点的晶闸管有效
| 申请号： | 201620824318.6 | 申请日： | 2016-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN205845960U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王连彬 | 申请（专利权）人： | 广州市晶泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州市深研专利事务所44229 | 代理人： | 陈雅平 |
| 地址： | 511450 广东省广州市大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片，门极，扇形发射区短路点，所述硅片的中心位置上设置有所述门极，所述硅片上还设置有一组所述扇形发射区短路点，所述扇形发射区短路点以所述门极为圆心均布在所述硅片上，所述扇形发射区短路点采用扇形结构，所述扇形发射区短路点从所述门极到所述硅片边缘共分布有四圈，从内圈到外圈分布的所述扇形发射区短路点的数量依次递增。该具有发射区短路点的晶闸管的扇形发射区短路点与传统遍布于整个发射区的圆形短路点相比，具有增加导通面积，减小晶闸管通态压降，降低晶闸管发热量，从而节省晶闸管散热器的使用成本，避免短路点对等离子扩展有过大的阻滞，提高晶闸管最大的di／dt耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发射 短路 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片（1），门极（2），扇形发射区短路点（3），其特征在于：所述硅片（1）的中心位置上设置有所述门极（2），所述硅片（1）上还设置有一组所述扇形发射区短路点（3），所述扇形发射区短路点（3）以所述门极（2）为圆心均布在所述硅片（1）上。
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