[实用新型]一种三维功率VDMOS器件有效
| 申请号： | 201620828982.8 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN205863168U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L23/367;H01L23/538;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种三维功率VDMOS器件，它包括功率单元和芯片层，所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔，各个芯片层堆叠在一起形成三维功率VDMOS器件；解决了VDMOS器件采用平面集成工艺存在的器件面积随着电流容量增大而增大，严重影响功率系统的集成度，同时信号延迟时间及互连线功耗比重也将越来越大等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 功率 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种三维功率VDMOS器件，它包括功率单元和芯片层，其特征在于：所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔，各个芯片层堆叠在一起形成三维功率VDMOS器件。
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