[实用新型]一种晶舟和具有该晶舟的炉管装置有效
申请号: | 201620834123.X | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN205944051U | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 沈建飞;王杨 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种晶舟和具有该晶舟的炉管装置,晶舟适于放置晶圆,包括顶盖、底盖和晶棒,顶盖和底盖相对设置,且顶盖和底盖的直径小于晶圆的直径;晶棒位于顶盖和底盖之间,一端与顶盖连接,另一端与底盖连接;晶棒的长度方向与顶盖和底盖的表面垂直,且晶棒的端面在顶盖所在平面和底盖所在平面上的投影与顶盖和底盖部分重合或不相重合。本实用新型取消了传统的晶舟旋转设计,并通过改变原始晶舟和内管的形状设计,缩短了晶舟、晶圆和内管壁的空间位置,使在真空状态下气流速度在更窄的空间内流速变快,改善了HTO制程的厚度尤其是顶部的厚度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 炉管 装置 | ||
【主权项】:
一种晶舟,适于放置晶圆,包括顶盖、底盖和晶棒,其特征在于,所述顶盖和所述底盖相对设置,且所述顶盖和底盖的直径小于晶圆的直径;所述晶棒位于所述顶盖和所述底盖之间,一端与所述顶盖相连接,另一端与所述底盖相连接;所述晶棒的长度方向与所述顶盖和所述底盖的表面相垂直,且所述晶棒的端面在所述顶盖所在平面和所述底盖所在平面上的投影与所述顶盖和所述底盖部分重合或不相重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620834123.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶体硅运输清洗装置
- 下一篇:一种石英舟
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造