[实用新型]一种具有电流扩展能力的发光二极管有效
申请号: | 201620840091.4 | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN205960012U | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 宋长伟;程志青;黄文宾;林兓兓;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型属于半导体技术领域,尤其涉及一种具有电流扩展能力的发光二极管,本实用新型用P型氮化镓层与非掺杂的氮化铟层组成高、低电阻形式的超晶格结构替代现有结构的高温P‑GaN层进而起到提高电流扩展的作用,改善有源层中电流分布不均匀的现象,提高发光二极管的内量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 电流 扩展 能力 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种具有电流扩展能力的发光二极管,至少包括一衬底,及依次位于所述衬底上的N型层、有源层、电子阻挡层、第一P型氮化物层、第二P型氮化物层及P型接触层,其特征在于:所述第二P型氮化物层由周期性交替层叠的氮化铟层和P型氮化镓层组成。
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