[实用新型]氧化物蚀刻选择性系统有效
| 申请号： | 201620844868.4 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN205984911U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | L·徐;Z·陈;A·王;S·T·恩古耶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统，所述系统包括第一气体入口；基座，配置成支撑基板；喷淋头，定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 蚀刻 选择性 系统 | ||
【主权项】：
一种基板处理系统，所述系统包括：第一气体入口；基座，所述基座被配置成支撑基板；喷淋头，所述喷淋头定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，所述隔板定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，所述第二气体入口定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，所述等离子体区域限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，所述基本无等离子体的区域限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，所述基板处理区域限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，所述电源被配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
