[实用新型]一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜有效
申请号: | 201620849129.4 | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN206020922U | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 徐飞 | 申请(专利权)人: | 常州瑞择微电子科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括连接在光掩模上的框架、与框架端部连接的保护薄膜,所述框架上设置有气体通道。本实用新型的保护膜的设计是在保护膜的金属框架上制作气体通道,让洁净的气体对光掩模和保护膜所围成的空间进行吹扫,使得该空间中的被深紫外光子激发的小分子物质被这些气体吹扫出该空间,或通过辅助设备(真空泵等)将小分子物质从气体通道中抽吸出去,从而避免这些小分子物质在光掩模表面集聚形成Haze,可有效提高光掩模使用寿命,结构设计合理,方便实用,适宜进一步推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 光掩模长 雾状 颗粒 新型 保护膜 | ||
【主权项】:
一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:该保护膜包括:连接在光掩模上的框架、与框架端部连接的保护薄膜,所述框架上设置有气体通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州瑞择微电子科技有限公司,未经常州瑞择微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620849129.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备