[实用新型]一种具有背场层的锗基热光伏电池

摘要

本实用新型涉及一种具有背场层的锗基热光伏电池，所述基区背面和下电极之间为背场区，电极接触层与上电极栅线的形状、线宽相同，其顶部被上电极所覆盖；发射区表面未被电极接触层和上电极栅线覆盖的部分制有光学减反射层，所述背场区为掺杂浓度高于基区掺杂浓度的重掺杂p+‑Ge层且厚度为30nm～10μm。本实用新型结构简单、成本低且易于实现，背场区的制备可采用蒸发退火或丝网印刷烧结等工艺，与现有技术中的工艺完全兼容，对1550nm～2000nm波长范围的量子效率以及对高于1500K温度黑体辐射光谱的光电转换效率均高于现有技术相应的指标。

主权项

一种具有背场层的锗基热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，基区上面自下至上依次为发射区、上电极接触层和上电极，基区背面设置下电极，其特征在于：所述基区背面和下电极之间为背场区，电极接触层与上电极栅线的形状、线宽相同，其顶部被上电极所覆盖；发射区表面未被电极接触层和上电极栅线覆盖的部分制有光学减反射层；所述光学减反射层为5nm～1000nm厚的薄膜；所述上电极接触层厚度为30nm～1000nm；所述基区禁带宽度为0.67eV、厚度为80～500μm的p‑Ge层；所述发射区为禁带宽度为1.9eV、厚度小于500nm的n‑GaxIn1‑xP层，x＝0.4～0.8；所述背场区为掺杂浓度高于基区掺杂浓度的重掺杂p+‑Ge层且厚度为30nm～10μm。