[实用新型]TSV测试结构有效
| 申请号： | 201620860472.9 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN205861845U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种TSV测试结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的TSV孔，形成于所述TSV孔的侧壁及底部的绝缘层，填充于所述TSV孔内的导电材料，在所述半导体衬底与所述绝缘层之间还形成有掺杂层，且所述半导体衬底为第一类型掺杂，所述掺杂层为第二类型掺杂，所述第一类型掺杂与第二类型掺杂的掺杂类型相反；在所述半导体衬底与掺杂层之间通入击穿电压，根据需要的击穿电压的大小可以判断半导体衬底中是否存在裂纹，在所述掺杂层与所述导电材料之间通入交流电压，根据测量所述掺杂层与所述导电材料之间电流的大小判断导电材料中是否存在空洞，其测量方法简单，检出率高，并且提高了测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种TSV测试结构，其特征在于，包括具有第一类型掺杂的半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的TSV孔，形成于所述TSV孔的侧壁及底部的绝缘层，填充于所述TSV孔内的导电材料，在所述半导体衬底与所述绝缘层之间还形成有掺杂层，所述掺杂层为第二类型掺杂，所述第一类型掺杂与第二类型掺杂的掺杂类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于，未经许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620860472.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型变压器局部放电监测装置
- 下一篇：一种内层AOI扫描的自动化装置
- 同类专利
- 专利分类
