[实用新型]一种太阳能利用率高的电池有效
| 申请号： | 201620861965.4 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN205881915U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H02S20/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市开福*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种太阳能利用率高的电池，包括太阳能板，所述太阳能板通过转轴与基座转动连接，所述太阳能板与转轴连接处设有跟踪器，所述太阳能板包括半导体层、防反射层、活化层和聚光结构，所述防反射层设置在半导体层和活化层之间，所述聚光结构设置在半导体层上面。该太阳能利用率高的电池，通过防辐射层可以减少太阳光的反射，增加了太阳能板的吸光度，通过聚光结构增加了太阳能板的受光面积，通过跟踪器可以跟踪太阳的角度变化问题，使得太阳能板随着阳光的移动而移动，最大限度的接受太阳光，该实用新型，光的转化效率极高，减少了成本，具有较好的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 利用率 电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能利用率高的电池，包括太阳能板（1），其特征在于：所述太阳能板（1）通过转轴（3）与基座（4）转动连接，所述太阳能板（1）与转轴（3）连接处设有跟踪器（2），所述太阳能板（1）包括半导体层（11）、防反射层（12）、活化层（13）和聚光结构（14），所述防反射层（12）设置在半导体层（11）和活化层（13）之间，所述聚光结构（14）设置在半导体层（11）上面。
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