[实用新型]一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT有效
| 申请号： | 201620884706.3 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN206003774U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 徐光 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT，采用铪硅氧氮化物(HfSiON)作为器件的HfSiON栅极介质；在HfSiON栅极介质和外延层之间引入一层SiON界面层；在HfSiON栅极介质上沉积TaN金属栅极。本实用新型设计的一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT，具有开关功耗低、开关速度快、控制能力强、可靠性高等优点，使IGBT半导体器件的整体性能得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 金属 栅极 igbt | ||
【主权项】：
一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT，其特征在于: 器件的栅极介质为铪硅氧氮化物(HfSiON)；HfSiON栅极介质和外延层之间有一层SiON界面层；器件的栅极为TaN金属栅极。
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