[实用新型]一种具有高品质因数的差分电感器结构

摘要

本实用新型公开一种具有高品质因数的差分电感器结构。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧，且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本实用新型利用圆环内的硅通孔阵列构造三维差分电感器，差分电感内部的耦合(金属层和重新布局层中的金属线中的电流流向两两异向)和较小的有效面积将提高电感值。

主权项

一种差分电感器，其特征在于差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，该圆环中硅通孔设有12个，上述硅通孔以左、右侧均布设置，且左侧硅通孔与右侧硅通孔对称，同一侧相邻硅通孔间距相同；左、右侧硅通孔从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔；将左侧第一硅通孔和右侧第一硅通孔的金属层端作为输入端口，左侧第六硅通孔和右侧第六硅通孔的金属层端作为输出端口；首先在差分电感器顶部进行金属线布置，外部金属线分别连接输入端口，左侧第二硅通孔的金属层端与右侧第三硅通孔的金属层端通过金属线交叉连接，左侧第三硅通孔的金属层端与右侧第二硅通孔的金属层端通过金属线交叉连接，左侧第四硅通孔的金属层端与右侧第五硅通孔的金属层端通过金属线交叉连接，左侧第五硅通孔的金属层端与右侧第四硅通孔的金属层端通过金属线交叉连接，输出端口分别通过金属线连接至外部；在差分电感器底部重新布局层进行金属线布置，左侧第一硅通孔的重新布局层端与右侧第二硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接，左侧第二硅通孔的重新布局层端与右侧第一硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接，左侧第三硅通孔的重新布局层端与右侧第四硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接，左侧第四硅通孔的重新布局层端与右侧第三硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接，左侧第五硅通孔的重新布局层端与右侧第六硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接，左侧第六硅通孔的重新布局层端与右侧第五硅通孔的重新布局层端通过金属线交叉连接。