[实用新型]高压半导体功率器件有效
| 申请号： | 201620919433.1 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN205984943U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何延强;吴迪;刘钺杨;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了高压半导体功率器件，包括硅衬底、氧化硅薄膜层、介质层、金属层、氮化硅薄膜层和聚酰亚胺保护层；聚酰亚胺保护层通过丝网印刷淀积在金属层或者氮化硅薄膜层上。与现有技术相比，本实用新型提供的一种高压半导体功率器件，应用于高温高压环境时具有稳定的击穿特性和漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种高压半导体功率器件，其特征在于，所述高压半导体功率器件包括：硅衬底；氧化硅薄膜层，所述氧化硅薄膜层淀积在所述硅衬底上；介质层，所述介质层淀积在所述氧化硅薄膜层上，所述介质层包括接触孔；金属层，所述金属层淀积在所述介质层上，并向下填入所述接触孔且与所述硅衬底的有源区接触；氮化硅薄膜层，所述氮化硅薄膜层淀积在所述金属层及其所在平面上，所述氮化硅薄膜层包括焊接窗口；聚酰亚胺保护层，所述聚酰亚胺保护层通过丝网印刷淀积在所述氮化硅薄膜层上。
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