[实用新型]具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器有效
申请号: | 201620937913.0 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN206022011U | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 成都昊天宏达电子有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/14;H01C1/144 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提出了一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器,包括法兰盘、基体、B面电极、侧面电极、A面电极、电阻体、介质保护层、金属引线、封装盖板,所述A面电极在基体的上表面,B面电极在基体的下表面,侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极,电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接;还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层;所述电极为三部分,且组合成一个反“匚”形电极。本实用新型对工字型电极做了修改,通过改变电极的形状提高频率特性,同时还具备了良好的三阶互调特性。使得射频功率电阻器能够具有更高的频率和更大的功率,并且能够满足移动通信技术中对三阶互调的要求。 | ||
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【主权项】:
一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器,其特征在于:包括法兰盘(1)、基体(2)、B面电极(3)、侧面电极(4)、A面电极(5)、电阻体(6)、介质保护层(7)、金属引线(8)、封装盖板(9),所述A面电极(5)在基体(2)的上表面,B面电极(3)在基体(2)的下表面,侧面电极(4)在基体(2)的侧面并连接A面电极(5)和B面电极(3),电阻体(6)位于A面电极(5)之上并且与A面电极(5)搭接端稳定搭接;还包括覆盖在电阻体(6)上起保护作用的介质保护层(7);金属引线(8)采用焊接工艺焊接于A面电极(5)之上;封装盖板(9)采用高温粘接剂粘接在基体(2)上表面;所述A面电极(5)为三部分,且组合成一个反“匚”形完整回路。
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