[实用新型]一种晶体硅量子点太阳能电池有效
| 申请号： | 201620940863.1 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN206040666U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐华毕;孙翔;姜占锋 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体硅量子点太阳能电池，其中，包括依次层叠的铝背电场、晶体硅衬底、发射结层、硅化物层、透明薄膜层和金属电极，其中，所述硅化物层包括第一硅化物层和第二硅化物层，所述第二硅化物层含有硅量子点，所述第一硅化物层和第二硅化物层交替堆叠形成多层结构，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第一硅化物层的层厚度渐变，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第二硅化物层的层厚度渐变。本实用新型提供的晶体硅量子点太阳电池能有效提高光生电流和开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 量子 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅量子点太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的铝背电场、晶体硅衬底、发射结层、硅化物层、透明薄膜层和金属电极，其中，所述硅化物层包括第一硅化物层和第二硅化物层，所述第二硅化物层含有硅量子点，所述第一硅化物层和第二硅化物层交替堆叠形成多层结构，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第一硅化物层的层厚度渐变，从发射结层至透明薄膜层所述多层结构中第二硅化物层的层厚度渐变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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