[实用新型]一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路

摘要

本实用新型提供一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，本实用新型突破了IGBT器件电流对电源容量上限的限制，提供了一种多个IGBT可靠并联使用的电路，从而提高了电源容量。

主权项

一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，包括驱动芯片、功率三极管以及IGBT并联驱动的隔离保护电阻，其特征在于：所述驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，所述驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，所述两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，各IGBT的集电极分别连接二极管D1、D2以及D3的阴极，二极管D1、D2以及D3的阳极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端，驱动芯片的管压降检测端连接在稳压管ZD4的阴极，ZD4的阳极连接在驱动芯片的供电‑9V上，光耦PC1的输入端阳极经过电阻R2连接至驱动芯片的供电+15V上，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端。