[实用新型]一种双层减反射膜的多晶硅片有效

专利信息
申请号: 201620952334.3 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN205944102U 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 孙显强 申请(专利权)人: 温州市赛拉弗能源有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325000 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种双层减反射膜的多晶硅片,包括多晶硅片本体,所述多晶硅片本体的外侧设有防腐保护框,所述多晶硅片本体的上表面设有正面栅线,所述防腐保护框的中部印刷有背电极,所述背电极上端设有P型硅,所述P型硅的上端设有N型硅,所述N型硅的上端设有减反射膜,所述N型硅的上端印刷有正面电极,所述正面电极为等距设置,本实用新型通过正面栅线对多晶硅片本体进行隔离,通过背电极与正面电极,实现多个多晶硅片本体之间的连接,通过N型硅的上端设有减反射膜,且减反射膜为层,增大了多晶硅片本体对光能的吸收,减少了光能的反射,使得光能在多晶硅片本体上循环折射,增加了光能的利用率。
搜索关键词: 一种 双层 减反射膜 多晶 硅片
【主权项】:
一种双层减反射膜的多晶硅片,包括多晶硅片本体(7),其特征在于:所述多晶硅片本体(7)的外侧设有防腐保护框(2),所述多晶硅片本体(7)的上表面设有横向栅线(8)和纵向栅线(9),所述横向栅线(8)与纵向栅线(9)交叉连接,所述防腐保护框(2)的中部印刷有背电极(1),所述背电极(1)上端设有P型硅(3),所述P型硅(3)的上端设有N型硅(4),所述N型硅(4)的上端设有减反射膜(5),所述N型硅(4)的上端印刷有正面电极(6),所述正面电极(6)为等距设置。
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