[实用新型]一种双层减反射膜的多晶硅片有效
申请号: | 201620952334.3 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN205944102U | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 孙显强 | 申请(专利权)人: | 温州市赛拉弗能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双层减反射膜的多晶硅片,包括多晶硅片本体,所述多晶硅片本体的外侧设有防腐保护框,所述多晶硅片本体的上表面设有正面栅线,所述防腐保护框的中部印刷有背电极,所述背电极上端设有P型硅,所述P型硅的上端设有N型硅,所述N型硅的上端设有减反射膜,所述N型硅的上端印刷有正面电极,所述正面电极为等距设置,本实用新型通过正面栅线对多晶硅片本体进行隔离,通过背电极与正面电极,实现多个多晶硅片本体之间的连接,通过N型硅的上端设有减反射膜,且减反射膜为层,增大了多晶硅片本体对光能的吸收,减少了光能的反射,使得光能在多晶硅片本体上循环折射,增加了光能的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 减反射膜 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种双层减反射膜的多晶硅片,包括多晶硅片本体(7),其特征在于:所述多晶硅片本体(7)的外侧设有防腐保护框(2),所述多晶硅片本体(7)的上表面设有横向栅线(8)和纵向栅线(9),所述横向栅线(8)与纵向栅线(9)交叉连接,所述防腐保护框(2)的中部印刷有背电极(1),所述背电极(1)上端设有P型硅(3),所述P型硅(3)的上端设有N型硅(4),所述N型硅(4)的上端设有减反射膜(5),所述N型硅(4)的上端印刷有正面电极(6),所述正面电极(6)为等距设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的