[实用新型]一种具有N‑/P+/P+型三维结构的半导体晶圆有效
| 申请号： | 201620955764.0 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN205920958U | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;邓建伟;沈征 | 申请（专利权）人： | 洛阳鸿泰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 洛阳明律专利代理事务所(普通合伙)41118 | 代理人： | 杨淑敏 |
| 地址： | 471023 河南省洛阳市高*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种具有N‑/P+/P+型三维结构的半导体晶圆，涉及一种半导体晶圆，在半导体晶圆上设有连接层和导通层，连接层和导通层设置在半导体晶圆的任意面上，半导体晶圆是导电型号为N型的高阻区，即N‑区，连接层是导电型号为P型的高浓度区，即P+区，阵列状分布的连接体一端植入半导体晶圆内部，另一端在半导体晶圆的底面通过导通层互相连接；导通层是导电型号为P型的高浓度区，即P+区，在半导体晶圆背面的导通层上设置有保护层；本实用新型实用性强，使用起来比较简单，控制方案严密、协调、效果好、设计巧妙，易于实施，在节能的同时也极大的方便了客户的需求，同时也极大的提高半导体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 结构 半导体 | ||
【主权项】：
一种具有N‑/P+/P+型三维结构的半导体晶圆，包括半导体晶圆、连接层、导通层和保护层，导通层上设有保护层，其特征是：在半导体晶圆上设有连接层和导通层，连接层和导通层设置在半导体晶圆的任意面上，半导体晶圆是导电型号为N型的高阻区，即N‑区，连接层是导电型号为P型的高浓度区，即P+区，阵列状分布的连接体一端植入半导体晶圆内部，另一端在半导体晶圆的底面通过导通层互相连接；导通层是导电型号为P型的高浓度区，即P+区，在半导体晶圆背面的导通层上设置有保护层。
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