[实用新型]膜层测试结构及阵列基板有效
| 申请号： | 201620956579.3 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN205959980U | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张淼;孙静;傅武霞 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种膜层测试结构及阵列基板，该膜层测试结构包括待测试导电膜层、与待测试导电膜层位于不同层且分别与待测试导电膜层电连接的多条测试引出线以及多个分别与多条测试引出线电连接的测试端子。将该膜层测试结构应用于阵列基板中，可以方便地完成方块电阻的测试，并且能够保证测试的精度，同时能够避免测试探针的频繁更换，减小测试探针的消耗，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 阵列 | ||
【主权项】：
一种膜层测试结构，包括：待测试导电膜层；多条测试引出线，与所述待测试导电膜层位于不同层且分别与所述待测试导电膜层电连接；多个测试端子，多个所述测试端子分别与所述多条测试引出线电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620956579.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种SOD323HE高密度引线框架
- 下一篇：电子部件
