[实用新型]集成电路片内电感器件有效
| 申请号： | 201620957477.3 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN205984983U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种集成电路片内电感器件，其包括衬底，衬底上形成有SiN隔离层，SiN隔离层具有露出衬底的电感区域，电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，聚苯并恶唑固化层与SiN隔离层的厚度相同，聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。通过上述方式，本实用新型能够改善片内电感Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电感 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路片内电感器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有SiN隔离层，所述SiN隔离层具有露出所述衬底的电感区域，所述电感区域内形成有聚苯并恶唑固化层，所述聚苯并恶唑固化层与所述SiN隔离层的厚度相同，所述聚苯并恶唑固化层上形成有多个相连的桥形金属片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
