[实用新型]一种背接触太阳能电池及其组件和系统有效
申请号: | 201620960058.5 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN206179885U | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 林建伟;刘志锋;季根华;孙玉海;刘勇;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种背接触太阳能电池及其组件和系统。本实用新型的一种背接触太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为轻掺杂的n+前表面场和钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为掺杂区域、钝化膜和金属电极,掺杂区域包括背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域,背表面n+掺杂区域设置有n+金属电极,背表面p+掺杂区域设置有p+金属电极。其有益效果是:本实用新型的背接触太阳能电池在完成前后表面的钝化膜覆盖后,经测试,其隐开路电压可达690mV以上,暗饱和电流密度J0<30fA/cm2,印刷电极制成的背接触电池后,其短波段的内量子效率达95%以上。性能优良。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳能电池 及其 组件 系统 | ||
【主权项】:
一种背接触太阳能电池,包括N型晶体硅基体,其特征在于:所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为轻掺杂的n+前表面场和钝化减反膜,所述n+前表面场的结深为0.2~2.0μm;所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为掺杂区域、钝化膜和金属电极,所述掺杂区域包括背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域,所述背表面n+掺杂区域设置有n+金属电极,所述背表面p+掺杂区域设置有p+金属电极;所述N型晶体硅基体的长度与厚度的比值为300~10000。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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