[实用新型]一种背接触晶体硅太阳能电池及组件和系统

摘要

本实用新型涉及一种背接触晶体硅太阳能电池及组件和系统。本实用新型的背接触晶体硅太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为前表面氧化层、前表面n+掺杂多晶硅层和前表面减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极。其有益效果是采用n+掺杂多晶硅层作为背接触晶体硅太阳能电池的前表面场，可以为N型晶体硅基体表面提供优异的场钝化效果，降低了少数载流子在前表面的复合，从而提高背接触晶体硅太阳能电池的开路电压和短路电流，进而提高其能量转化效率。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为前表面氧化层、前表面n+掺杂多晶硅层和前表面减反膜；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为掺杂区域、背表面钝化膜和与掺杂区域欧姆接触的金属电极，所述掺杂区域包括相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域，所述背表面n+掺杂区域设置有n+金属电极，所述背表面p+掺杂区域上设置有p+金属电极；所述N型晶体硅基体的长度与厚度的比值为300～10000。