[实用新型]一种用于倒装LED芯片的外延片有效
| 申请号： | 201620972691.6 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN206003801U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田海军;林鸿亮;赵宇;石峰;杨凯;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于倒装LED芯片的外延片，属于发光二极管的外延技术领域，本实用新型在外延层的电流扩展层与n‑AlInP限制层之间设置n型超晶格插入层，在p‑AlInP限制层与p‑GaP窗口层之间设置p型超晶格插入层，提升n面与p面的电流扩展能力，提高现有AlGaInP基倒装LED 外延结构发光效率、光电性能、以及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 倒装 led 芯片 外延 | ||
【主权项】：
一种用于倒装LED芯片的外延片，在衬底的同一侧依次设置n‑GaAs缓冲层、n‑（AlxGa1‑x）0.5In0.5P腐蚀截止层、n‑GaAs接触层、n‑（AlxGa1‑x）0.5In0.5P粗化层、n‑（AlxGa1‑x）0.5In0.5P电流扩展层、n型超晶格层、n‑InAlP限制层、有源层、p‑InAlP限制层、p型超晶格层和p‑GaP窗口层，其特征在于：所述n型超晶格层由周期交替设置的势阱层和势垒层组成，所述p型超晶格层由周期交替设置的势阱层和势垒层组成。
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