[实用新型]一种弱光型非晶硅太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201620978399.5 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN206076256U 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 邵明;佘金荣;戴国清 申请(专利权)人: 莆田市威特电子有限公司
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/072;H01L31/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 351111 福建省莆*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括玻璃基板,在玻璃基板上依次层叠设置前电极层、光电转换层和后电极层,所述光电转换层包括依次层叠设置的p型窗口层、缓冲层、非晶硅本征层和n型掺杂层,在p型窗口层和缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜,在缓冲层与非晶硅本征层之间设有阻挡层,该阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜,所述p型窗口层与前电极层的接触面为弧面,n型掺杂层与后电极层的接触面为弧面。本实用新型能调节p层与缓冲层之间的表观带隙,解决了缓冲层与非晶硅本征层之间界面间的碳元素和硼元素的扩散问题,提高了转换率,增加了发电量。
搜索关键词: 一种 弱光 型非晶硅 太阳能电池
【主权项】:
一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括玻璃基板,在玻璃基板上依次层叠设置前电极层、光电转换层和后电极层,其特征在于:所述光电转换层包括依次层叠设置的p型窗口层、缓冲层、非晶硅本征层和n型掺杂层,在p型窗口层和缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜,在缓冲层与非晶硅本征层之间设有阻挡层,该阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜,所述p型窗口层与前电极层的接触面为弧面,n型掺杂层与后电极层的接触面为弧面。
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