[实用新型]一种弱光型非晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201620978399.5 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN206076256U | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 邵明;佘金荣;戴国清 | 申请(专利权)人: | 莆田市威特电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/072;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 351111 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括玻璃基板,在玻璃基板上依次层叠设置前电极层、光电转换层和后电极层,所述光电转换层包括依次层叠设置的p型窗口层、缓冲层、非晶硅本征层和n型掺杂层,在p型窗口层和缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜,在缓冲层与非晶硅本征层之间设有阻挡层,该阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜,所述p型窗口层与前电极层的接触面为弧面,n型掺杂层与后电极层的接触面为弧面。本实用新型能调节p层与缓冲层之间的表观带隙,解决了缓冲层与非晶硅本征层之间界面间的碳元素和硼元素的扩散问题,提高了转换率,增加了发电量。 | ||
搜索关键词: | 一种 弱光 型非晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括玻璃基板,在玻璃基板上依次层叠设置前电极层、光电转换层和后电极层,其特征在于:所述光电转换层包括依次层叠设置的p型窗口层、缓冲层、非晶硅本征层和n型掺杂层,在p型窗口层和缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜,在缓冲层与非晶硅本征层之间设有阻挡层,该阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜,所述p型窗口层与前电极层的接触面为弧面,n型掺杂层与后电极层的接触面为弧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的