[实用新型]生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱有效
| 申请号： | 201620978980.7 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN206225395U | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟;林云昊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本实用新型还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本实用新型具有成本低廉的优点，且InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸镁钪 衬底 ingan gan 量子 | ||
【主权项】：
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。
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