[实用新型]超快速MOSFET电子开关驱动电路

摘要

本实用新型公开一种超快速MOSFET电子开关驱动电路，包括方波发生器、推挽电路、高压MOS管、加速网络单元、耦合变压器和至少2个驱动支路，此驱动支路由依次串联的驱动小信号单元、功率管单元和主电路取能单元组成；所述耦合变压器初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少4个次级线圈，此至少4个次级线圈进一步分为至少2个VTp次级线圈和至少2个VTn次级线圈，所述加速网络单元与耦合变压器的初级线圈串连连接，耦合变压器的VTp次级线圈和VTn次级线圈均连接到对应驱动支路的驱动小信号单元上。本实用新型无需额外供电电源，既大大减少了电子开关驱动电路体积，又加速了电子开关上升前沿，电子开关驱动电路所需功率大幅减小，尤其适合阵列MOSFET电子开关。

主权项

一种超快速MOSFET电子开关驱动电路，其特征在于：包括：方波发生器（1）、推挽电路（2）、高压MOS管（3）、加速网络单元（4）、耦合变压器（5）和至少2个驱动支路（6），此驱动支路（6）由依次串联的驱动小信号单元（7）、功率管单元（8）和主电路取能单元（9）组成；所述方波发生器（1）与推挽电路（2）的输入端连接，所述高压MOS管（3）的栅极连接到推挽电路（2）的输出端，所述高压MOS管（3）的源极和漏极位于接地和加速网络单元（4）之间，所述加速网络单元（4）与耦合变压器（5）的初级线圈连接，所述加速网络单元（4）由并联的Rv电阻和Cv电容并联组成；所述耦合变压器（5）初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少4个次级线圈，此至少4个次级线圈进一步分为至少2个VTp次级线圈和至少2个VTn次级线圈，所述加速网络单元（4）与耦合变压器（5）的初级线圈串连连接，耦合变压器（5）的VTp次级线圈和VTn次级线圈均连接到对应驱动支路（6）的驱动小信号单元（7）上；所述驱动小信号单元（7）进一步包括滤波模块（71）、MOS管（72）和位于滤波模块（71）、MOS管（72）之间的第一二极管（73），此滤波模块（71）与VTn次级线圈连接，此MOS管（72）的栅极和源极分别与VTp次级线圈的高电位输出端和低电位输出端连接，所述主电路取能单元（9）进一步包括存储电容（91）、第二二极管（92）和2个串联的限流电阻（93），所述存储电容（91）与驱动小信号单元（7）的MOS管（72）的漏极连接，所述第二二极管（92）位于2个串联的限流电阻（93）的接点与MOS管（72）与存储电容的接点之间，驱动小信号单元（7）的MOS管的源极连接到功率管单元（8）中功率管（81）的栅极。