[实用新型]一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET有效
| 申请号： | 201620992034.8 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN205985000U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;钱振华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET，属于半导体技术领域，包括低阻N型外延层，低阻N型外延层的下层设置N+衬底，低阻N型外延层顶部左、右两端均设有P柱槽，左、右两端P柱槽内均设有P柱，低阻N型外延层的上层设置高阻N型外延层，高阻N型外延层顶部的左、右两端均设置P型体区，左端P型体区与左端的P柱上下相应间隔设置，右端P型体区与右端的P柱上下相应间隔设置，高阻N型外延层的上层设置源极，本实用新型是一种有效提升器件耐压、降低初始Coss并有效缓解Coss陡变效应的缓变输出电容的高压超结器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掩埋 沟槽 高压 mosfet | ||
【主权项】：
一种具有掩埋P型沟槽的高压超结MOSFET，包括低阻N型外延层(2)，低阻N型外延层(2)的下层设置N+衬底(1)，其特征在于：低阻N型外延层(2)顶部左、右两端均设有P柱槽，左、右两端P柱槽内均设有P柱(3)，低阻N型外延层(2)的上层设置高阻N型外延层(4)，高阻N型外延层(4)顶部的左、右两端内均设置P型体区(5)，左端P型体区(5)与左端的P柱(3)上下相应间隔设置，右端P型体区(5)与右端的P柱(3)上下相应间隔设置，高阻N型外延层(4)的上层设置正面电极。
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